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Affichage 21 articles: FE1D à FGH60N60SMD (Page 144 sur 485)

Diode FE1D
FE1D
0.84€ TTC
82 En stock
82 En stock

Diode silicium 200V 1A. Trr <30ns.

 
 
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Circuit intégré FE211M-LF
FE211M-LF
55.05€ TTC
2 En stock
2 En stock

Circuit intégré FE211M-LF. Video Signal Processor

 
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Diode FE3B
FE3B
0.90€ TTC
25 En stock
25 En stock

Diode silicium 100V 3A. Trr <35ns.

 
 
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Tarifs dégressifs

Diode FE3C
FE3C
0.90€ TTC
50 En stock
50 En stock

Diode silicium 150V 3A. Trr <35ns.

 
 
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Diode FEP16JT
FEP16JT
5.66€ TTC
51 En stock
51 En stock

Double diode silicium 600V 2x8A. Trr: 50ns. Boîtier TO-220AC (Cathode commune). Double Ultrafast Plastic Rectifier.

 
 
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Diode FEP30DP
FEP30DP
9.35€ TTC
22 En stock
22 En stock

Double diode silicium 200V 2x15A 35ns(CC)SMPS. Constructeur: VISHAY. Code constructeur: FEP30DP-E3. Boîtier: TO-247AD (cathode commune). Matériau: SI. Vrrm: 200V. Courant d'alimentation(AV): 15A. Plage de température: -55°C à +150°C

 
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Tarifs dégressifs

Double diode FEP30JP-E3
FEP30JP-E3
5.66€ TTC
64 En stock
64 En stock

Double diode 600V 2x15A. Trr: 50ns. Cathode commune

 
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Diode FFPF05U120S
FFPF05U120S
6.27€ TTC
5 En stock
5 En stock

Diode silicium 1200V 5A. Trr <100ns. Boîtier TO220F-2L. High voltage and high reliability. High speed switching.

 
 
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Tarifs dégressifs

Diode FFPF06U20S
FFPF06U20S
5.32€ TTC
4 En stock
4 En stock

Diode silicium 200V 6A. Trr <35ns. Boîtier TO-220F-2L.

 
 
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Tarifs dégressifs

Diode FFPF10UP20S
FFPF10UP20S
3.70€ TTC
1 En stock
1 En stock

Diode silicium 200V 10A. Trr <35ns. Boîtier TO-220F-2L.

 
 
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Tarifs dégressifs

Diode FFPF10UP60S
FFPF10UP60S
5.15€ TTC
57 En stock
57 En stock

Diode silicium 600V 10A. Trr <34ns. Boîtier TO220F-2L.

 
 
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Tarifs dégressifs

Diode FFPF60B150DS
FFPF60B150DS
14.00€ TTC
2 En stock
2 En stock

Double diode silicium 600/1500V 20/6A. Trr: 90/170ns. Boîtier TO-220F.

 
 
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Transistor FGA25N120ANTD
FGA25N120ANTD
14.90€ TTC
6 En stock
6 En stock

Transistor IGBT N 1200V. Courant de collecteur maxi: 50A. Puissance: 312W. Vce(sat): 2.0 - 2.15V. Boîtier: TO-3P. td(on): 50ns. td(off): 190ns

 
 
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Tarifs dégressifs

Transistor FGA30N120FTD
FGA30N120FTD
25.87€ TTC
9 En stock
9 En stock

Transistor IGBT N 1200V. Courant de collecteur maxi: 60A. Puissance: 339W. Vce(sat): 1.6V - 2.0V. Boîtier: TO-3P. td(on): 31ns. td(off): 198ns

 
 
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Transistor FGA60N65SMD
FGA60N65SMD
24.98€ TTC
34 En stock
34 En stock

N-IGBT 650V 120A/180Ap 600W Vce(sat)1.9V - 2.1V. Constructeur: International Rectifier. Code constructeur: FGA60N65CMS. Type de boîtier: TO-3P (TO-218 SOT-93). Boîtier: TO-3PN. Type de canal: Canal N. Vceo: 650 V. Consommation 120 A. Ic(T-100°C): 60 A. Ic(puls): 180 A. Puissance: 600 W. VGE: 20 V. VGE(th) min.: 3,5 V. VCE(sat): 1,9 V. Diode CE:

 
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Transistor IGBT canal-N FGH40N60SFDTU
FGH40N60SFDTU
17.58€ TTC
28 En stock
28 En stock

Transistor IGBT canal-N. Diode de roue-libre intégrée 600V 80A/40Ap 290W (40A) Vce(sat) : 2.3V

 
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Transistor FGH40N60SMDF
FGH40N60SMDF
18.14€ TTC
4 En stock
4 En stock

N-IGBT+D 600V 80A/120Ap 349W (40A) Vce(sat)1.9V

 
 
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Transistor FGH40N60UFD
FGH40N60UFD
17.53€ TTC
61 En stock
61 En stock

Transistor IGBT N (+diode) 600V. Courant de collecteur maxi: 80A. Puissance: 290W. Vce(sat): 1.8V. Boîtier: TO-247(AC). td(On): 24ns. td(Off): 120ns

 
 
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Transistor IGBT canal-N FGH60N60SFD
FGH60N60SFD
28.45€ TTC
4 En stock
4 En stock

Transistor IGBT canal-N. Diode de roue-libre intégrée 600V 120A/180Ap 378W (60A) Vce(sat) : 2.3V

 
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Transistor IGBT canal-N FGH60N60SFTU
FGH60N60SFTU
26.82€ TTC
71 En stock
71 En stock

Transistor IGBT canal-N 600V 120A/180Ap 378W (60A) Vce(sat) : 2.3V

 
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Tarifs dégressifs

Transistor IGBT canal-N FGH60N60SMD
FGH60N60SMD
22.68€ TTC
34 En stock
34 En stock

Transistor IGBT canal-N. Diode de roue-libre intégrée 600V 120A/180Ap 300W (60A) Vce(sat) : 1.9V

 
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© Avtronic. Tous droits réservés. Avtronic - LE SERBON A EV. Numéro d'enregistrement: HU49342471. Dirigeant: Arnaud LE SERBON